特許
J-GLOBAL ID：200903016293600480

多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者：
江部 明憲

江部 明憲 について

, 
鞍谷 直人

鞍谷 直人 について

, 
高橋 英治

高橋 英治 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195810
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 比較的低温下で安価に、生産性よく多結晶シリコン薄膜を形成できる多結晶シリコン薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン原子を有する材料ガスと水素ガスとの混合ガスから又はシラン系反応ガスからプラズマを形成し、該プラズマ中のSiH* ラジカルの発光強度に対する水素原子ラジカル(Hβ)の発光強度比が1以上になるように、或いはさらにプラズマポテンシャルが60V以下になるように該プラズマ状態を制御し、該プラズマのもとで基板に多結晶シリコン薄膜を形成する多結晶シリコン薄膜形成方法とその薄膜形成装置。
請求項（抜粋）：
シリコン原子を有する材料ガスと水素ガスとの混合ガスから、又はシラン系反応ガスからプラズマを形成し、該プラズマ中のSiH* ラジカルの発光強度に対する水素原子ラジカル(Hβ)の発光強度比が1以上になるように該プラズマ状態を制御し、該プラズマのもとで基板に多結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/00 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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