特許

J-GLOBAL ID：200903016294686869

圧電/電歪膜型素子

発明者： 武内 幸久 ,  木村 浩二
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 石田 喜樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204580
出願日： 1992年12月26日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【構成】 圧電/電歪作動部(2) が膜形成法によって形成され、且つセラミック基板(3) と圧電/電歪作動部(2) とから成る部分が、セラミック基板(3) 側へ凸状に湾曲していることを特徴とする圧電/電歪膜型素子(1) 。【効果】 相対的に低作動電圧で大きな変位が得られ、強度に優れた圧電/電歪膜型素子を実現することができる。しかも、応答速度が早く発生力が大きいばかりか、信頼性も高く、高集積化が可能である。

請求項（抜粋）：

薄肉のセラミック基板と、その基板上に形成された電極及び圧電/電歪層から成る圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪作動部が膜形成法によって形成され、且つ前記セラミック基板と圧電/電歪作動部とから成る部分が、セラミック基板側へ凸状に湾曲していることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。