特許

J-GLOBAL ID：200903016297037624

多層基板及びその製造方法

発明者： 中村 克己
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321093
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158545
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】半導体素子の放熱性に優れ、且つ、安価な多層基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム2を介して導体パターン3を積層するとともに、当該積層体の内部に半導体素子7を配置した状態で加熱しつつ加圧することにより形成される多層基板10であって、積層体の上下両表面に、半導体素子7と絶縁される放熱板9を設けた。このように、本多層基板10は、一括積層により形成されるとともに、半導体素子7から生じる熱を放熱板9を介して外部へ放熱することができる。従って、半導体素子7の放熱性に優れ、且つ、安価な多層基板10である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムの少なくとも片面上に導体パターンを有し、且つ所望の位置に層間接続材料が充填されたビアホールを備える導体パターンフィルムが形成され、この導体パターンフィルムを含む複数の樹脂フィルムを積層するとともに、当該積層体の内部に、前記導体パターンに導電接続されるように半導体素子を配置した多層基板であって、 前記多層基板は、その上下両表面に前記半導体素子と絶縁された放熱板を備えることを特徴とする多層基板。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H05K3/46

FI (6件)：

H01L23/12 J ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 U ,  H01L23/12 N

Fターム (24件)：

5E346AA05 ,  5E346AA11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346AA60 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC10 ,  5E346CC12 ,  5E346CC31 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE08 ,  5E346EE42 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH17