特許
J-GLOBAL ID：200903016307179490
半導体素子のコンタクト導電層形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186975
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124945
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【課題】金属ケイ化物形成の際のシリコン基板への不均一なケイ化物浸入を抑制して、信頼性および電気的特性の優れた半導体素子のコンタクト導電層の形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板20上に絶縁膜22を形成した後、コンタクトを形成する部位の絶縁膜を除去してコンタクト孔を形成する工程と、基板の全表面に金属層24を形成した後、陽イオンを金属層24にイオン注入する工程と、熱処理を施してケイ化物層25を形成する工程とを含んでなる。陽イオンが金属の結晶粒界27に散布され、また金属のダングリングボンドと結合し、金属の結晶粒界27を通してのSiイオンの拡散度と金属層の結晶粒26を通してのSiイオンの拡散度とが同程度となるので、金属とSi原子とのケイ化結合反応が均一に生じ、Si基板内に成長したケイ化物層25が均一に成長してSi表面に浸入し、均一なケイ化物とSi基板とのインタフェースが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定部位と導電層との間のコンタクト導電層形成方法において、(1)半導体基板上に絶縁膜を形成した後、コンタクトを形成する部位の絶縁膜を除去してコンタクト孔を形成する工程と、(2)上記工程を経た上記半導体基板の全表面に金属層を形成した後、陽イオンを上記金属層に注入する工程と、(3)上記工程を経た上記半導体基板に熱処理を施してケイ化物層を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子のコンタクト導電層形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/44
, H01L 21/28
, H01L 21/60 321
, H01L 21/768
