特許
J-GLOBAL ID：200903016308966371
半導体素子の実装方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172888
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037208
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 膜状接着部材を用いて半導体素子を基板上の所定位置に実装する半導体素子の実装装置に関する。【構成】 実装ツール25は支持面が上向きの仮付け位置にあり、ベアIC13の実装面の反対を載せ、バキューム機構を動作させてベアIC13を吸着保持し、90°C〜130°Cに加熱する。加圧ツール27を下降動作させ、支持部材26により所定の張力によって支持されている異方性導電膜12を押し下げ、ベアIC13の実装面に圧接させる。加熱状態の実装面に圧接した異方性導電膜12の一部のみ残留する。実装ツール25による加熱、加圧することにより、熱硬化性の異方性導電膜12は一旦溶融した後に硬化する。ベアIC13を基板11上に機械的に固着させるとともに、異方性導電膜12内の導電粒子により、ベアIC13の接続電極と基板11上の配線パターンとの間を導電接続して実装が完了する。
請求項（抜粋）：
所定温度に加熱された半導体素子の実装面に、一面にシート状のセパレータが貼り付けられている膜状接着部材を前記セパレータの反対側から加圧し、この加圧後に前記セパレータを含む膜状接着部材の他の部分を実装面から分離することにより、前記膜状接着部材を実装面上に転写し、この転写後に前記膜状接着部材が転写された前記半導体素子の実装面を基板上の所定の実装位置に加圧、加熱して結合することを特徴とする半導体素子の実装方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/52
, H05K 3/32
