特許

J-GLOBAL ID：200903016315371030

反射型電極基板及びその製造方法

発明者： 井上 一吉
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129824
公開番号（公開出願番号）：特開2004-333882
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】低抵抗で仕事関数の大きい、有機EL素子の電極基板として有用な反射型電極基板及びその製造方法を提供する。【解決の手段】基板上に少なくともAgからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とをこの順で積層した反射型電極基板である。また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。この方法により、低抵抗で仕事関数の大きい、有機EL素子の電極基板として有用な反射型電極基板を製造することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともAgからなる無機化合物層と、 少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とを この順で積層することを特徴とする反射型電極基板。

IPC (6件)：

G09F9/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

FI (7件)：

G09F9/30 336 ,  G09F9/30 349D ,  G02F1/1335 520 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z

Fターム (39件)：

2H091FA14Y ,  2H091FB08 ,  2H091GA02 ,  2H091LA12 ,  2H091LA16 ,  2H092HA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092PA12 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  5C094AA10 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094EA06 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA20 ,  5G435AA03 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435BB16 ,  5G435FF03 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05