特許

J-GLOBAL ID：200903016317054253

常圧CVD法及びその装置

発明者： 野崎 寿之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279447
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 インジェクタからの反応ガスをN2 シールド装置から噴射される窒素ガスで制御することにより、成膜される薄膜の均一性を向上させることができる常圧CVD装置を得ること。【解決手段】 本発明の常圧CVD装置1Aは、半導体ウエハWを所定の温度に加熱しながら所定の速度で搬送し、インジェクタ4から反応ガスを噴射して薄膜を成膜する常圧CVD装置において、インジェクタ4のガス噴射口45からその周面を巡り、噴射された反応ガスの内の未反応ガスを排気する排気ダクト51内のガス噴射口45の下面及び周面に配設された主シールド板210と副シールド板220とから構成されているN2シールド装置20の少なくとも主シールド板210の空間を隔壁214で複数の小空間215A、215B、215C、215D、215E、215Fに分割し、それぞれのガス噴射口212A、212B、212C、212D、212E、212Fから噴射される窒素ガスの流量を制御して半導体ウエハWへの反応ガスの濃度を調整できるように構成されている。

請求項（抜粋）：

被処理物を所定の温度に加熱しながら所定の速度で搬送し、該被処理物の表面にインジェクタから反応ガスを噴射して薄膜を成膜する常圧CVD法において、前記インジェクタの少なくとも下方に、前記被処理物の全面を覆い、不活性ガスを噴射するガス噴射口を備えたシールド装置を設けて、該シールド装置から噴射する不活性ガスにより被処理物の表面に噴射する前記インジェクタからの反応ガスの流量を微細に制御し、前記被処理物の表面に薄膜を成膜することを特徴とする常圧CVD法。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 B

Fターム (18件)：

4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K030LA19 ,  5F045AA03 ,  5F045AC15 ,  5F045DP23 ,  5F045DQ12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF01