特許
J-GLOBAL ID：200903016317538315
多結晶半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163404
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 結晶化後の特性に悪影響を与える不純物を用いることなく、結晶成長の制御をより自由にかつ高精度に行うことができ、大粒径の結晶粒を有する多結晶半導体薄膜を得ることを可能とする方法を提供する。【構成】 非晶質シリコン薄膜2に光を照射しつつ加熱することにより結晶化を促進し、多結晶シリコン薄膜3を製造する方法。
請求項（抜粋）：
非晶質半導体薄膜に光を照射しつつ加熱することにより結晶化を促進し、多結晶半導体薄膜を得ることを特徴とする、多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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