特許

J-GLOBAL ID：200903016319901867

炭化ケイ素接合体の製造方法

発明者： 小高 文雄 ,  宮本 太郎 ,  高橋 佳智
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016877
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】 高い接合強度を有する大型の炭化ケイ素焼結体を容易に製造し得る方法を提供することである。【解決手段】 遊離炭素含有率が2〜10重量%の2以上の炭化ケイ素焼結体の面間に、純度98%以上のシリコン金属を該面に接するように挟持させる工程と、シリコン金属を挟持する炭化ケイ素焼結体を高温加熱する加熱工程とを含む炭化ケイ素接合体の製造方法である。好ましくは、シリコン金属の量が、k×{炭化ケイ素接合体の接合面表面積(cm2 )}×{炭化ケイ素焼結体中の遊離炭素重量%}(g)(kは0.08〜0.12である。)である炭化ケイ素接合体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

遊離炭素含有率が2〜10重量%の2以上の炭化ケイ素焼結体の面間に、純度98%以上のシリコン金属を該面に接するように挟持させる工程と、シリコン金属を挟持する炭化ケイ素焼結体を高温加熱する加熱工程、とを含む炭化ケイ素接合体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 37/00 ,  H01L 21/22 501

FI (2件)：

C04B 37/00 B ,  H01L 21/22 501 M