特許

J-GLOBAL ID：200903016326234116

パワー半導体装置

発明者： 石井 利昭 ,  江口 州志 ,  茂木 亮 ,  石井 滋 ,  羽鳥 和夫 ,  新井 克夫 ,  中條 卓也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031346
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】150°C以上の温度においても高い接続信頼性を長時間有する、パワー半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子の周囲及びリードフレームの一部分をモールドしたエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤と無機質充填材を必須成分とし、無機質充填材のうち、4ZnO・B2O3・H2Oまたは2ZnO・3B2O3・3.5H2O で示されるほう酸亜鉛化合物の少なくとも一種類を該エポキシ樹脂組成物に対し1重量%以上10重量%以下に配合してなることを特徴とするパワー半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体素子がリードフレーム上に載置固定され、該半導体素子の電極端子と該リードフレームの接続端子とがワイヤボンディングにより電気的に接続結線され、半導体素子の周囲及びリードフレームの一部分をエポキシ樹脂組成物によりモールド成形された構造を有するパワー半導体装置において、該エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂と硬化剤と無機質充填材を必須成分とし、無機質充填材のうち、4ZnO・B2O3・H2Oと2ZnO・3B2O3・3.5H2O で示されるほう酸亜鉛化合物の少なくとも一種類を該エポキシ樹脂組成物に対して、1重量%以上10重量%以下の割合で含むことを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 23/48 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

H01L 23/30 R ,  H01L 21/60 321 X ,  H01L 23/48 G ,  H01L 23/50 V

Fターム (19件)：

4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DA03 ,  4M109DA06 ,  4M109DA07 ,  4M109DB04 ,  4M109EA03 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EC02 ,  4M109EC05 ,  5F067AB01 ,  5F067DC16 ,  5F067EA04