特許
J-GLOBAL ID：200903016328673435
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202166
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129833
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 ハイサイド・ドライバ回路の基準電位をマイナスにしても素子分離に支障のない半導体装置を提供する。【解決手段】 入力信号のレベル変換を行うレベルシフタ11と、該レベルシフタのレベル変換結果を用いて、負荷をドライブするフローティング動作するハイサイド・ドライバ回路10と、レベルシフタのグランドからハイサイド・ドライバ回路の基準電位側への電流経路を遮断する逆流防止用ダイオード12とを少なくとも有するパワーICであって、ハイサイド・ドライバ回路と逆流防止用ダイオードとを誘電体52,54により素子分離し、バイアス関係により素子分離不良が生じないように構成している。このため、ハイサイド・ドライバ回路の基準電位VS をマイナスにすることができ、負荷回路に蓄積されたエネルギーをこのマイナス電位にされた基準電位を介して引き抜く。
請求項（抜粋）：
第1,第2及び第3の半導体活性領域と、該第1の半導体領域中に設けられ、入力信号のレベル交換を行うレベルシフタと、該第2の半導体領域中に設けられ、基準電位ラインと、第1の電源に接続される電源ラインと、出力端子とを具備し、該レベルシフタのレベル変換結果を用いて所定の負荷をドライブするドライバ回路と、該第3の半導体領域中に設けられ、該レベルシフタと該ドライバ回路との間に接続された逆流防止用ダイオードとから少なくとも構成され、該第1,第2,第3の半導体活性領域のうちの2つの領域が他の1つの半導体活性領域から誘電体分離され、かつ第2の半導体活性領域はフローティング構成とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03K 17/56
, H03K 17/695
, H03K 19/0175
H01L 27/04 B
, H03K 17/56 Z
, H03K 17/687 B
, H03K 19/00 101 A
