特許
J-GLOBAL ID:200903016331329389
誘電体磁器組成物および電子部品
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 均 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-282117
公開番号(公開出願番号):特開2003-192432
出願日: 1999年07月21日
公開日(公表日): 2003年07月09日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 比誘電率が高く、容量温度特性がEIA規格のX8R特性(-55〜150°C、ΔC=±15%以内)を満足し、かつ、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、機械的強度に優れた誘電体磁器組成物を提供すること。【解決手段】 主成分であるBaTiO3 と、MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2 O3 から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、(Ba,Ca)x SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)で表される第2副成分と、V2 O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第3副成分と、R1の酸化物(ただし、R1はYb)を含む第4副成分と、R2の酸化物(ただし、R2はY、Dy、Ho、Tb、GdおよびEuから選択される少なくとも一種)を含む第5副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物。
請求項(抜粋):
主成分であるBaTiO3 と、MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2 O3 から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、(Ba,Ca)x SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)で表される第2副成分と、V2 O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第3副成分と、R1の酸化物(ただし、R1はYb)を含む第4副成分と、R2の酸化物(ただし、R2はY、Dy、Ho、Tb、GdおよびEuから選択される少なくとも一種)を含む第5副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、主成分であるBaTiO3 100モルに対する各副成分の比率が、第1副成分:0.1〜3モル、第2副成分:2〜10モル、第3副成分:0.01〜0.5モル、第4副成分:0.5〜7モル(ただし、第4副成分のモル数は、R1単独での比率である)、第5副成分:2〜9モル(ただし、第5副成分のモル数は、R2単独での比率である)、である誘電体磁器組成物。
IPC (3件):
C04B 35/46
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
FI (3件):
C04B 35/46 D
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
Fターム (41件):
4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA08
, 4G031AA11
, 4G031AA13
, 4G031AA16
, 4G031AA17
, 4G031AA18
, 4G031AA19
, 4G031AA30
, 4G031BA09
, 4G031CA01
, 4G031CA03
, 4G031CA05
, 5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AE00
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5G303AA01
, 5G303AB11
, 5G303AB12
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB03
, 5G303CB06
, 5G303CB10
, 5G303CB17
, 5G303CB30
, 5G303CB32
, 5G303CB35
, 5G303CB36
, 5G303CB37
, 5G303CB40
, 5G303CB41
, 5G303CB43
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