特許
J-GLOBAL ID：200903016340783793
ヘテロ接合FET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300257
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153937
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】ミリ波帯で使用するヘテロ接合FETにおいて大信号動作時に線形利得を低下させず、かつ飽和入力電圧付近の線形利得の伸びを向上させながら、高出力、高耐圧が得られる事を目的とする。【構成】半絶縁性GaAs基板1上にノンドープGaAsバッファ層2、ノンドープIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層3、第一のシリコンドープGaAs層4、シリコンドープAlGaAs層5、ノンドープAlGaAs層6、を積層し、6上にショットキーゲートを形成する。5,6によりゲートショットキー接合での、トンネリング電流、鏡像効果等に起因した熱電子放出電流は低減され、ゲート逆方向リーク電流は大きく低減される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に順に成長した、ノンドープInGaAs層、第一のシリコンドープあれたGaAs層、シリコンドープされたAlGaAs層、ノンドープAlGaAs層、第二のシリコンドープされたGaAs層を有し、ノンドープAlGaAs層にショットキー接合を形成したゲート電極、第二のGaAs層にオーミック接合を形成したドレイン、ソース電極を備える事を特徴とするヘテロ接合FET。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
