特許

J-GLOBAL ID：200903016344258707

半導体装置

発明者： 鳥居 和彦
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106253
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297751
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 導電性接着剤31を配置した突起電極15を有する半導体装置11と透明電極22を配置した基板21とを押圧しながら接続する。半導体装置11の突起電極15と基板21の透明電極22との間は薄い導電性接着剤31の層となる。薄い導電性接着剤31の層以外の大量の導電性接着剤31は基板21の透明電極22に流出して隣の端子の導電性接着剤31と接触して短絡不良に至る。【解決手段】 半導体装置11の突起電極15は長円形状に接続電極パッド12の上と保護膜13の上とに跨がり設け、接続電極パッド12の上に設けた突起電極15の頂部より保護膜13の上に設けた突起電極15の頂部が高くなるように配置する。さらに、接続電極パッド12を近接する端子の一線状の位置に設け、保護膜13の上に設ける突起電極15を近接する端子の一線状の位置からずらした場所に設ける構造を採用した。

請求項（抜粋）：

半導体装置の突起電極を長円形状に、半導体装置に設けた接続電極パッドの上と、接続電極パッドが開口するように半導体装置全面を覆う保護膜の上とに跨り設け、接続電極パッドの上に設けた突起電極の頂部より保護膜の上に設けた突起電極の頂部が高くなることを特長とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 G