特許
J-GLOBAL ID:200903016360539384

酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 宏 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-265968
公開番号(公開出願番号):特開2001-093866
出願日: 1999年09月20日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【目的】タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム等、比較的高硬度の酸化物単結晶ウェーハの効率的ポリッシング加工を行う研磨用組成物、及びそれを用いた酸化物単結晶ウェーハの鏡面加工を行なう方法を提供する。【構成】BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径が8〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径が12〜400nmである酸化珪素粒子を溶液全体に対して3〜30重量%含むコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であり、かつpHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用の研磨用組成物である。該研磨用組成物は、平均一次粒子径Aと、平均二次粒子径Bとの比率、B/Aが1.4から30の範囲にあることが好ましい。
請求項(抜粋):
BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径が8〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径が12〜400nmである酸化珪素粒子を溶液全体に対して3〜30重量%含むコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であるように導電性を与える成分を含有し、かつpHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用の研磨用組成物。
IPC (2件):
H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550
FI (2件):
H01L 21/304 622 D ,  C09K 3/14 550 D

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