不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080069
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268181
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMの記憶容量を増大させる。【構成】書き込み時、ソース3の電位をフローティングにし、ドレイン2に0V、1V、2V及び3Vの中から選択された所定の電圧を印加し、そのタイミングで制御ゲート100に10〜15V程度のパルス電圧を印加する。これにより、メモリセルのしきい値は7V、5V、3V及び1Vのいずれかになり、夫々の状態をデータ“11”、“10”、“01”及び“00”に対応させる。従って、1個のメモリセルに4値のデータを記憶させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に形成されたドレイン及びソースと、前記ドレイン及びソースの間に配されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲートとを有するメモリセルの入力データを書き込むことが可能な不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法であって、前記ドレインに所定の電圧を印加し、前記制御ゲートにパルス状の電圧を印加することにより前記メモリセルのしきい値電圧を設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , G11C 16/04 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 308 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-237692
特開平3-237692
特開平2-040198

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