特許
J-GLOBAL ID：200903016370464200
太陽電池素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276896
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114559
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、半導体接合部が破壊されて出力特性が低下するという問題があった。【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法であって、前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサイド化しうる金属材料を被着した後に前記電極材料を所定パターンに被着し、この電極材料をマスクとして前記金属材料を所定パターンにエッチングした後に、前記電極材料を焼き付けるようにした。
請求項（抜粋）：
一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサイド化しうる金属材料を被着した後に前記電極材料を所定パターンに被着し、この電極材料をマスクとして前記金属材料を所定パターンにエッチングした後に、前記電極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
Fターム (8件)：
5F051AA02
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051GA04
, 5F051GA15
