特許

J-GLOBAL ID：200903016374048030

スイッチング素子

発明者： 福島 伸 ,  川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129839
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 誘電体ゲートを用いたスイッチング素子では、誘電体/導電チャンネル界面にトラップされた電荷や導電チャンネル自体に由来する問題を解決することによって、誘電体の分極電荷により有効に導電チャンネルの導電率を変化させることが求められている。【解決手段】 電荷注入により金属絶縁体転移を生じる物質、例えばAE<SB>1-x </SB>RE<SB>x </SB>TO<SB>3 </SB>(AEはアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも 1種、REはYを含む希土類金属元素から選ばれる少なくとも 1種、Tは遷移金属元素から選ばれる少なくとも 1種、 xは 0≦ x< 1)で実質的に表されるペロブスカイト酸化物からなる導電チャンネル2と、ペロブスカイト酸化物等からなる誘電体層3とを積層した積層膜を具備し、誘電体層3の分極に伴う界面電荷によって、導電チャンネル2の導電率を変化させるスイッチング素子7である。

請求項（抜粋）：

電荷注入により金属絶縁体転移を生じる物質と誘電体とを積層した積層膜を具備し、前記誘電体の分極に伴う界面電荷により前記金属絶縁体転移を生じる物質の導電率を変化させることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-074773
  
• 特開昭63-283178