半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-252830
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077066
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】研磨もしくは洗浄廃液中の研磨屑、凝集粒子を効果的に除去し、研磨材もしくは洗浄剤となる粒子を効率良く回収し再利用することのできる半導体装置の製造方法及び製造装置を実現する。【解決手段】研磨廃液を濃縮してから、液体サイクロン6の後にフィルタ7aで特定の条件で主として1μm以下の粒子を分離回収し、液体粒子濃度調整装置8により粒子濃度を5〜30%に調整し再生する。再生された研磨液は循環装置5により定常流の状態で半導体製造装置1にリサイクルされる。フィルタ7a及び循環装置5では、水分1〜10%含有する窒素ガス等の不活性ガスを用いてガス圧2〜5気圧で流路に押し出し、定常流を形成する。

請求項（抜粋）：

?@粒子を含有する廃液から水分を除去して濃縮する工程と、?A濃縮された廃液から液体サイクロンにより主として10μmより大なる粒子を除去する工程と、?B前記液体サイクロンにより分別された廃液をフィルタを介して主として1μmより大きい粒子を除去し、主として1μm以下の粒子を含有する液体として分離回収する工程と、?C前記分離回収された液体中の粒子濃度を所定濃度に調整し再生する工程と、?D前記再生された液体を半導体製造装置に送給する工程とを備えた廃液の再生処理工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記?@の廃液から水分を除去して濃縮する工程においては、濃縮後の水分量が5〜50%となるように水分を除去して濃縮する工程となし、前記?Bのフィルタを介して主として1μm以下の粒子を含有する液体として分離回収する工程においては、1〜10%の水分を含有する不活性ガスの加圧下で前記液体をフィルタに押圧して分離回収する工程となし、前記?Cの粒子濃度を所定濃度に調整し再生する工程においては、粒子濃度を5〜30%に調整し再生する工程となし、前記?Dの再生された液体を半導体製造装置に送給する工程においては、前記液体に脈動を生じさせずに定常流で送給する工程となしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , B01D 36/02

FI (2件)：

H01L 21/304 622 E , B01D 36/02

Fターム (5件)：

4D066AA05 , 4D066AB01 , 4D066BA03 , 4D066BA05 , 4D066BB01

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