特許

J-GLOBAL ID：200903016387768270

光磁気記録方式

発明者： 小林 正
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020720
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 高価で複雑な光学系を必要とすることなしに、記録を行いながら記録の確認を行える光磁気記録方式の提供。【構成】 室温において保磁力が低く、キュリー温度が高い第1の磁性層と、前記第1磁性層と交換結合すると共に前記第1磁性層に比して保磁力が高く、キュリー温度が低い第2の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強度の光ビームを照射しながら記録情報に応じて変調された磁界を印加することにより情報の記録を行うと共に、光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なう。

請求項（抜粋）：

室温において保磁力が低く,キュリー温度が高い第1 の磁性層と,前記第1磁性層と交換結合すると共に前記第1磁性層に比して保磁力が高く,キュリー温度が低い第2 の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強度の光ビ-ムを照射しながら記録情報に応じて変調された磁界を印加することにより情報の記録を行うと共に、前記光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なうことを特徴とする光磁気記録方式。