特許

J-GLOBAL ID：200903016399300982

高周波用半導体装置

発明者： 天野 義久
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175403
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体パッケージの高周波信号伝搬特性を改善する。【構成】 誘電体基板10のパッド24にリードピン28をろう付けする。そして、リードピン28の先端には、リードピン28の一部を折り曲げて形成された突起部40が形成されている。従って、この部分の厚めが増しており、ここにろう材溜まり42を容易に形成できる。このため、パッド24の幅を広げなくても十分な高度でリードピン28をろう付けすることができる。従って、パッド24の幅を小さくすることができ、ここにおけるキャパシタンス成分変化を抑制することができる。そこで、全体として、リードピン28、パッド24、配線パターン20から構成される高周波信号の伝送線路における伝搬特性の変化を緩和することができ、反射を減少することができる。

請求項（抜粋）：

表面上に半導体素子が搭載された誘電体基板と、この誘電体基板の端部表面上に設けられ、外部からのリード線が接続される導電性パッドと、この導電性パッドに先端部が接着されるリードピンと、を含み、前記リードピンは、その先端部に折り曲げ突起部を有することを特徴とする高周波用半導体装置。