特許

J-GLOBAL ID：200903016401013635

多層セラミック基板の製造方法

発明者： 青木 重憲 ,  亀崎 洋 ,  肥田 勝春 ,  横内 貴志男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243423
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、多層セラミック基板の製造方法に関し、誘電率が低く且つ表面の平滑化の可能な多層セラミック基板を破壊を引き起こさずに製造する方法の提供を目的とする。【構成】 中空シリカを含む低誘電率の第一のセラミック材料に石英ガラスを混入して中空シリカの一部を置き換え、この材料から成形したグリーンシートと中空シリカを含まない第二のセラミック材料のグリーンシートとの焼成収縮率の差が1%以内となるよう両材料の組成を調節する。

請求項（抜粋）：

中空シリカを含有してなる低誘電率の第一のセラミック粉末材料のグリーンシートと、中空シリカを含有しない第二のセラミック粉末材料のグリーンシートとを混成積層し、次いでこの積層体を一体焼成して低誘電率の多層セラミック基板を製造する方法であって、第一のセラミック材料として、無機成分の体積比率で、10〜50%の中空シリカ、20〜50%の硼珪酸ガラス、0%より多く55%以下の石英ガラス及び10〜30%のアルミナを含んでなる組成物を、そして第二のセラミック材料として、無機成分の体積比率で、20〜60%の硼珪酸ガラス、0%より多く65%以下の石英ガラス及び10〜30%のアルミナを含んでなる組成物を、これらのセラミック材料のグリーンシートの焼成時の収縮率の差が1%以内となるように、おのおのの組成を調節して使用することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/15 ,  H05K 1/03