特許

J-GLOBAL ID：200903016401322883

セラミック基材へのNiメタライズ法

発明者： 高橋 広明 ,  吉澤 出
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230972
公開番号（公開出願番号）：特開平8-091969
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】【目的】 非酸化性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせず、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着力を持つNiの導体層が形成できるセラミック基材へのNiメタライズ法を提供する。【構成】 セラミック基材の表面にV及びNiを含有する層を形成し、次に酸化性雰囲気中で500〜700°Cで熱処理し、次に還元性溶液中に浸漬して還元処理し、次いでめっき法または気相法によるNiメタライズを施すことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

セラミック基材の表面にV及びNiを含有する層を形成し、次に酸化性雰囲気中で500〜700°Cで熱処理し、次に還元性溶液中に浸漬して還元処理し、次いでめっき法または気相法によるNiメタライズを施すことを特徴とするセラミック基材へのNiメタライズ法。

IPC (10件)：

C04B 41/90 ,  C23C 14/02 ,  C23C 18/18 ,  C23C 22/60 ,  C23C 28/00 ,  C25D 5/54 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/14 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38