特許

J-GLOBAL ID：200903016409868885

半導体素子の電極構造および電極形成方法

発明者： 松村 和彦 ,  吉田 隆幸 ,  河北 哲郎 ,  藤本 博昭
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020946
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219967
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 突起電極の高さが均一となる半導体素子の電極構造および電極形成方法を得る。【解決手段】 半導体素子1と、この半導体素子1上に形成され半導体素子の内部回路と電気的に接続された第1の電極2と、半導体素子1上の第1の電極2に隣接した位置に形成され半導体素子1の内部回路と電気的に独立した第2の電極4と、第1の電極2と第2の電極4上にまたがって形成された突起電極9aとを備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子上に形成され前記半導体素子の内部回路と電気的に接続された第1の電極と、前記半導体素子上の前記第1の電極に隣接した位置に形成され前記半導体素子の内部回路と電気的に独立した第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極上にまたがって形成された突起電極とを備えた半導体素子の電極構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-026043
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-164161   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-296336
  
• 特開平3-050735