特許
J-GLOBAL ID：200903016410447338
薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096733
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291062
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 電極付近に捕獲されているパーティクルが基板上の薄膜に付着するのを低減することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 成膜室4を広くして、その中に、プラズマ18が発生していない領域20を設けた。そして成膜終了後は、プラズマ18を消滅させることなく、基板2を基板搬送手段によって図中に2点鎖線で示すように一旦この領域20に(即ちプラズマ領域外へ)移動させ、その後に当該基板2を成膜室4外へ取り出すようにした。
請求項（抜粋）：
相対向する電極間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって成膜室内で基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法において、成膜終了後に、プラズマを消滅させることなく基板をプラズマ領域外へ移動させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
