特許

J-GLOBAL ID：200903016412530232

ロッド型発光素子及びその製造方法

発明者： 河 俊碩 ,  金 鐘旭
出願人/特許権者： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド ,  エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139266
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332650
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】素子の光出力を向上させることができるロッド型発光素子及びその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 第1極性層の上部に光を放出できる物質がロッドを形成し、このロッドそれぞれを包む第2極性層を形成することにより発光面積を増加させ、素子の内部に拘束されず外部に放出させる光量を増やして素子の光出力を向上させられる。 また、本発明は活性層をナノサイズのロッド構造物で形成して光抽出効率を倍加させることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1極性層と、

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/28 301R

Fターム (13件)：

4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-237443   出願人：ソニー株式会社