特許

J-GLOBAL ID：200903016425227601

液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 斎藤 敏男 ,  大岸 秀次 ,  酒井 弘毅
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236289
公開番号（公開出願番号）：特開平10-082995
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 反射形液晶素子の反射率を向上して液晶表示装置の輝度を向上する。【解決手段】 半導体基板13の主面に形成されたMOSFETQ11のソース領域22aに接続される配線25aを、表面が平坦化された絶縁膜26で覆い、その絶縁膜26上にチタン層14aを下層とし、アルミニウム合金層14bを上層とする液晶駆動電圧印加用電極14を形成する。また、反射形液晶素子の製造に際して、チタン層14aの堆積後、アルミニウム合金層14bの堆積まで真空破壊することなく連続的に成膜する。あるいは、アルミニウム合金層14bを堆積する前に、チタン層14aの表面に形成されたチタンの酸化物をスパッタエッチにより除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に2次元アレイ状に配置された液晶駆動用のMOSFETと、前記MOSFETを覆う絶縁膜の上層に設けられ、前記絶縁膜に開口された接続孔を介して前記MOSFETのソース領域と電気的に接続され、その上層に設けられた液晶層を通過する光を反射する反射板として作用させると同時に前記液晶層に加えられる電圧が印加される電極層とを含む反射形液晶素子を有する液晶表示装置であって、前記電極層は、シリコンに対して固溶度の大きな材料からなる第1の金属層と、アルミニウムを主成分とし、前記第1の金属層の上層に形成される第2の金属層とを含む積層膜であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 T