特許

J-GLOBAL ID：200903016429246074

半導体基板研磨装置

発明者： 白石 靖志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-155723
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 異物の混入によるマイクロスクラッチの発生を防止するとともに、半導体ウエハー研磨厚の面内均一性を向上させ、歩留まりの向上及び信頼性の向上を実現する。【解決手段】 キャリアー12は、半導体ウエハー11の被研磨面を上方に向けて保持する。ポリッシングベルト13は、半導体ウエハーの被研磨面に接触しながら移動するようにプーリー18を介して巻取リール17に巻き取られる。コンディショニングパッド16は、ポリッシングベルト13の表面を整える。ノズル15は、ポリッシングベルトの裏面にスラリーを供給する。加圧ローラー14は、ポリッシングベルトの裏面上のスラリーを表面に染み出させるとともに、ポリッシングベルト及び染み出したスラリーを半導体ウエハーの表面に押し付ける。スラリーに混入した異物は、ポリッシングベルトにより除去される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持するキャリアと、該キャリアに対向配置され、ポリッシングスラリーを保持して前記半導体基板を研磨するパッドとを有する半導体基板研磨装置において、前記半導体基板の被研磨面が上を向くように前記キャリアと前記パッドとを配置するとともに、前記パッドとして前記ポリッシングスラリーを裏面から研磨面まで浸透させる浸透性パッドを用い、前記ポリッシングスラリーを前記パッドの裏面から供給するようにしたことを特徴とする半導体基板研磨装置。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-201181
  
• 特開昭59-227363
  
• 特開平2-269553