特許
J-GLOBAL ID：200903016434074281
光ポンピング可能な垂直エミッタを有する面発光半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-091016
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304033
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置を改善して、出力パワーを高速に変調できるようにすこと。【解決手段】 光ポンピング可能な垂直エミッタ(20)を有する面発光半導体レーザ装置であって、垂直エミッタ(20)は、ビーム形成層(14)を有する形式の面発光半導体レーザ装置において、この面発光半導体レーザ装置の出力パワーを変調する少なくとも1つの変調ビーム源(30)が設けられており、この変調ビーム源は、ビームを形成する活性層を有するエッジ放出半導体構造(15)を含んでおり、この変調ビーム源を配置して、動作中にこの半導体レーザ装置によりビームが放出されるようにし、ここでこのビームは、前記の垂直エミッタ(20)のビームを形成する活性層(14)に入力結合されることを特徴とする面発光半導体レーザ装置を構成する。
請求項（抜粋）：
光ポンピング可能な垂直エミッタ(20)を有する面発光半導体レーザ装置であって、前記垂直エミッタ(20)は、ビーム形成層(14)を有している形式の面発光半導体レーザ装置において、該面発光半導体レーザ装置の出力パワーを変調する少なくとも1つの変調ビーム源(30)が設けられており、該変調ビーム源は、ビーム形成活性層を有するエッジ放出半導体構造(15)を含んでおり、前記変調ビーム源を配置して、動作中に当該変調ビーム源によりビームが放出されるようにし、ここで該ビームは、前記垂直エミッタ(20)のビームを形成する活性層(14)に入力結合されることを特徴とする、光ポンピング可能な垂直エミッタを有する面発光半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA42
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073AB21
, 5F073AB25
, 5F073AB29
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073EA14
