特許
J-GLOBAL ID：200903016438484891
磁気抵抗読取変換器およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217126
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【構成】 MR層12と、このMR層に直接接触する反強磁性材料の層14と、この反強磁性材料の層に接触する相互拡散材料の層18とを有する積層構造を所定の範囲の温度に所定の時間加熱して、反強磁性材料とMR層との間に磁気界面を形成させた、磁気抵抗読取変換器10が提供される。【効果】 磁気界面が、MR層に対する高レベルの交換バイアスを生成する。
請求項（抜粋）：
強磁性材料の薄い磁気抵抗層を付着させる工程と、上記磁気抵抗層に直接接触して反強磁性材料の薄い層を付着させる工程と、上記反磁性材料層に接触して相互拡散材料の薄い層を付着させる工程と、上記積層構造を、所定の範囲の温度に所定の時間加熱して、上記反強磁性材料と上記磁気抵抗層との間に磁気界面を形成し、これにより、上記磁気界面が上記磁気抵抗層に対する交換バイアス磁界を形成する工程とを含む、磁気抵抗読取変換器アセンブリを製造する方法。
引用特許：
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