半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032171
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】大出力半導体レーザの光出力を増大させる。【構成】半導体基板1上に、少なくとも第1の半導体クラッド層3、半導体活性層5、第2の半導体クラッド層7が順次積層形成されて半導体レーザが構成される。この半導体レーザは、上記の各層に電流を供給する電極10のストライプ幅が100μm以上である大出力の半導体レーザである。ここで、上記活性層5は、組成の異なる2種類の半導体材料が交互に積層された多重量子井戸構造ものであり、その多重量子井戸の井戸層を4層以上としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次積層された第1の半導体クラッド層、半導体活性層、第2の半導体クラッド層を少なくとも有し、これらの層に電流を供給する電極のストライプ幅が100μm以上である半導体レーザにおいて、前記活性層は、組成の異なる2種類の半導体材料が交互に積層された多重量子井戸構造ものであって、この多重量子井戸の井戸層が4層以上であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066823 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-300085 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-007007 出願人：セイコーエプソン株式会社

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