特許

J-GLOBAL ID：200903016441842960

気相成長方法

発明者： 櫛部 光弘 ,  船水 将久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021355
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 燐を含む複数のV族元素或いは、燐とVI族純物元素を含む結晶の III-V族化合物半導体の有機金属気相成長方法において、固相中のV族組成及びVI族濃度のコントロールを容易に行うこと。【構成】 反応容器31内に原料ガスとして、ガリウムの有機金属化合物,インジウムの有機金属化合物,燐の水素化物及び砒素の水素化物を導入して、基板32上にGax In1-x Asy P1-y を成長形成する有機金属気相成長方法において、予め水素化物の供給量[PH3 ],[AsH3 ]と、形成された化合物半導体層中の砒素の割合y及び燐の割合(1-y)とを測定して、{[AsH3 ]/y}/{[PH3 ]1/2 /(1-y)}=Cで定まる比例係数Cを求め、この比例係数Cを元に、形成すべき化合物半導体層に対する水素化物供給量[PH3 ],[AsH3 ]をそれぞれ設定する。

請求項（抜粋）：

III 族元素と燐及び燐よりも蒸気圧の低いV族又はVI族元素αを含む化合物半導体層を、III 族有機金属化合物と燐の水素化合物及び元素αの水素化合物を用いて成長形成する有機金属気相成長方法において、予め前記水素化物原料の供給量[PH3 ],[αHa](a=2又は3)と、形成された化合物半導体層中の元素αの割合y及び燐の割合(1-y)とを測定して、 {[αHa]/y}/{[PH3 ]1/2 /(1-y)}=Cで定まる比例係数Cを求め、この比例係数Cを元に、形成すべき化合物半導体層に対する水素化物原料供給量[PH3 ],[αHa]をそれぞれ設定することを特徴とする気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18