特許
J-GLOBAL ID：200903016442796687
研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の 製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-173456
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】アルカリ金属を含有しないフッ素含有酸化シリコン微粒子から成る研磨剤とその製法,及びそれを用いた研磨法によって高歩留り、高信頼性の半導体装置を提供する。【構成】研磨剤は、フッ素含有酸化シリコン微粒子を分散せしめた溶液から成り、?@ケイフッ化水素酸水溶液にホウ酸を添加して形成せしめること、?Aアルコキシフルオロシランのアルコール溶液に純水を添加して形成する。これらの研磨剤を用いて、多層配線用層間絶縁膜を平坦化する。
請求項（抜粋）：
フッ素含有酸化シリコン微粒子を水溶液中あるいはアルコールを含む溶液中に分散せしめた研磨剤。
IPC (3件)：
C09K 3/14 550
, H01L 21/304 321
, H01L 21/768
