特許

J-GLOBAL ID：200903016444691270

半導体レーザアレイ

発明者： 成瀬 雄二郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245298
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097579
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に集積化されたマイクロキャビティレーザを任意に駆動することができ、機能の柔軟性と集積化が容易な半導体レーザアレイを提供すること。【構成】 半導体基板上にマイクロキャビティレーザを集積化した半導体レーザアレイにおいて、半導体基板10内に2次元電子ガスのチャネル13を形成すると共に、電子エミッタ17及び方向制御電極18を形成し、2次元電子ガスのチャネル13を介して各マイクロキャビティレーザ20への電流注入,共通アース及びスイッチング制御などを行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2次元電子ガスのチャネルを有する半導体基板と、この基板上に形成された複数のマイクロキャビティレーザとを具備してなり、前記2次元電子ガスのチャネルを介して各マイクロキャビティレーザへの電流注入を行うことを特徴とする半導体レーザアレイ。