特許
J-GLOBAL ID:200903016451342176

マイクロセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-335155
公開番号(公開出願番号):特開平10-160698
出願日: 1996年11月29日
公開日(公表日): 1998年06月19日
要約:
【要約】【課題】 ヒーター部上部の感応部に塵が付着しにくい構造とし、ヒーター特性の特性変動やヒーター部の破損のないマイクロセンサの提供。【解決手段】 第一の電気絶縁薄膜層2上のヒーター部3及び第1の電極部4が形成されていない同一面に、第二の電気絶縁薄膜層9をヒーター部3及び第1の電極部4の厚さとほぼ同じ厚さに形成し、更に、ヒーター部3及び第1の電極部4の端子4a部を除いた部分と第二の電気絶縁薄膜層9上に第三の電気絶縁薄膜層5を形成したことを特徴とするマイクロセンサ。
請求項(抜粋):
シリコン基板上に設けた第一の電気絶縁薄膜層上に、電極部に挟まれたヒーター部を形成し、その上に第三の電気絶縁薄膜層を成膜し、前記ヒーター部の第三の電気絶縁薄膜層上を感応部で被覆したマイクロセンサにおいて、前記第一の電気絶縁薄膜層上の前記ヒーター部及び電極部が形成されていない同一面上に、第二の電気絶縁薄膜層を前記ヒーター部及び電極部の厚さと、ほぼ同じ厚さに形成し、前記ヒーター部及び電極部と前記第二の電気絶縁薄膜層上に第三の電気絶縁薄膜層を形成したことを特徴とするマイクロセンサ。
IPC (6件):
G01N 27/18 ,  G01N 25/18 ,  G01N 27/12 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/316 ,  H05B 3/00 330
FI (6件):
G01N 27/18 ,  G01N 25/18 K ,  G01N 27/12 B ,  H01L 21/316 X ,  H05B 3/00 330 ,  H01L 21/306 L

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