特許
J-GLOBAL ID:200903016453960357

半導体装置、強誘電体記憶装置、ICカード、ならびにそれを用いたシステムおよびその方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-287468
公開番号(公開出願番号):特開2003-091988
出願日: 2001年09月20日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】メモリに記憶されたデータを一度だけ読出した後に、自動的にそのデータを消去可能な半導体装置、強誘電体記憶装置、ICカード、ならびにそれを用いたシステムおよびその方法を提供する。【解決手段】書込み信号に応じてデータを記憶し、前記記憶しているデータが読出された場合には、前記データの記憶が不確定になる読出し破壊型記憶部2と、読出し破壊型記憶部2から読出されたデータを含む読出し信号が、フィードバック信号として入力されると、可否選択信号に応じてフィードバック信号をデータを含む書込み信号として、読出し破壊型記憶部2に出力する、または出力しないフィードバック可否選択部3と、所望の処理により可否選択信号をフィードバック可否選択部3に出力する制御回路4とを含む半導体装置を有するICカードを用いて、所定の処理を行うシステムを構成する。
請求項(抜粋):
書込み信号に応じてデータを記憶し、前記記憶しているデータが読出された場合には、前記データの記憶が不確定になる記憶手段と、前記記憶手段から読出された前記データを含む読出し信号が、フィードバック信号として入力されると、可否選択信号に応じて、前記フィードバック信号を前記データを含む書込み信号として前記記憶手段に出力する、または出力しないフィードバック可否選択手段と、所望の処理により、前記可否選択信号を前記フィードバック可否選択手段に出力する制御手段とを有する半導体装置。
IPC (3件):
G11C 11/22 501 ,  G11C 11/22 ,  G06K 19/07
FI (3件):
G11C 11/22 501 Q ,  G11C 11/22 501 D ,  G06K 19/00 N
Fターム (2件):
5B035BB09 ,  5B035CA29

前のページに戻る