プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250058
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064064
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】基板の周辺部から排気通路側に延びやすいプラズマシースを基板上に留めることで、基板上へプラズマを閉じ込める。【解決手段】真空容器内のアノード電極3上に基板4を保持し、基板4の処理面に向けてカソード電極2の貫通孔5から処理ガスを供給し、両電極2、3間に高周波電力を印加して電極2、3間にプラズマを発生させることで、基板4の処理面に所定の処理を施し、処理後のガスをアノード電極3の周辺に確保した排気通路7Aから真空容器1外に排気するプラズマCVD装置において、プラズマを媒体とする高周波電力の通過経路の等電位面が基板4の周辺部で終端されるように、アノード電極3上の空間の周囲に、ガス排気用スリット31を備えた絶縁遮蔽体30を配置した。

請求項（抜粋）：

真空容器内の基板保持台に基板を保持し、基板の処理面に向けて処理ガスを供給し、該処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させることで、前記基板の処理面に所定の処理を施し、処理後のガスを前記基板保持台の周辺から真空容器外に排気するプラズマ処理装置において、前記プラズマを媒体とする高周波電力の通過経路の等電位面が前記基板の周辺部で終端されるように、前記基板保持台上の空間の周囲に、ガス排気のための隙間を備えた絶縁遮蔽体を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/509 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/509 , C23F 4/00 C , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 21/302 N

Fターム (44件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030DA06 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030KA12 , 4K057DA01 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DD03 , 4K057DD07 , 4K057DD08 , 4K057DG16 , 4K057DM02 , 4K057DM06 , 4K057DM13 , 4K057DM28 , 4K057DM38 , 4K057DN01 , 5F004AA15 , 5F004BA04 , 5F004BA07 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB06 , 5F045EF04 , 5F045EF05 , 5F045EF20 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EM10

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