半導体デバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168711
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289103
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】ワイドバンドギャップ半導体を用い、高い歩留まりを確保しつつ、低コストで製造することができる半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体モジュールは、SiC基板上に、個別に動作することが可能なセグメント1(半導体素子)を備えている。セグメント1は、SiC基板の主面側に設けられたソース電極パッド2及びゲート電極パッド3と、SiC基板の裏面側に設けられたドレイン電極パッドとを備えている。相隣接するセグメント1同士間を電気的に分離するためのトレンチ,ショットキーダイオード等の素子分離領域を備えている。検査で良品であることが確認されたセグメント1の電極パッド2,3のみが電極端子41,43に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ワイドバンドギャップ半導体からなる活性領域と、動作用電圧が印加される少なくとも2つの電極パッドとを有し、互いに独立して動作することが可能な複数の半導体素子と、複数の電極端子と、上記複数の半導体素子のうちの少なくとも一部である特定の複数の半導体素子の各電極パッドと、上記複数の電極端子とを互いに電気的に接続するための複数の接続部材と備え、上記特定の複数の半導体素子は互いに並列に動作する,半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L29/78 , H01L21/60 , H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/47 , H01L29/872

FI (10件)：

H01L29/78 656A , H01L29/78 652L , H01L29/78 652Q , H01L29/78 652T , H01L29/78 657A , H01L21/60 301N , H01L27/06 102A , H01L21/76 S , H01L21/76 L , H01L29/48 D

Fターム (46件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104FF01 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG13 , 4M104GG14 , 5F032AA35 , 5F032AB05 , 5F032AC04 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032BB06 , 5F032CA09 , 5F032CA15 , 5F032CA16 , 5F032CA17 , 5F032CA19 , 5F032CA24 , 5F032DA22 , 5F044AA18 , 5F044AA19 , 5F044CC01 , 5F044EE02 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG11 , 5F048BH04 , 5F048BH05 , 5F048CB06

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-230534 出願人：株式会社デンソー
特開平2-210866
絶縁ゲート型パワーICの製造方法、絶縁ゲート型パワーICの製造装置及び絶縁ゲート型パワーICモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-318233 出願人：株式会社デンソー

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