特許
J-GLOBAL ID：200903016464660649
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-117129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121835
出願日： 1991年05月22日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】レーザ特性を損わずに低閾値動作でより短い発振波長を実現する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。【構成】n型GaAs基板1上に、バッファ層2、光導波層3、発光活性層4、光導波層5、バッファ層6、電流狭窄兼光吸収層7、コンタクト層8を有するレーザ素子であり、発光活性層4を構成する量子井戸層と量子障壁層の少なくとも1方の層に不純物を含有させる。このレーザ素子の少なくとも発光活性層は有機金属気相成長法か分子線エピタキシー法によりエピタキシャル成長させて形成する。
請求項（抜粋）：
(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>P(ただしy、aはそれぞれ0<y≦1、0.3≦a≦0.8の範囲の値である)よりなる禁制帯幅の大きな光導波層により、それより禁制帯幅の小さい発光活性層を挾んだダブルヘテロ接合を半導体基板上に有する半導体レーザ素子において、上記発光活性層は、(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>P(ただしx<SB>1</SB>は0≦x<SB>1</SB><yの範囲の値であり、aは上記の範囲の値である)よりなる量子井戸層と、(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>P(ただしx<SB>2</SB>はx<SB>1</SB><x<SB>2</SB><yの範囲の値であり、aは上記の範囲の値である)よりなる量子障壁層とが繰り返し設けられた多重量子井戸構造を少なくとも有し、かつ該量子障壁層に不純物を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/203
