特許
J-GLOBAL ID：200903016464874894
シリコン基板金属ビア形成方法およびマルチチップモジュール製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007093
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198697
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,セラミック基板を用いた実装構造のマルチチップモジューの配線用中間板の製造に関し,Si中間板よりの半導体チップの回収,交換を容易にするビア構造を形成することを目的とする。【構成】 Si基板1を貫通するビアホール2の内壁に絶縁膜3を形成する工程と, 絶縁膜3上に金属薄膜4を被覆する工程と, 金属薄膜4上に, ビアホール2全体に充填するように, 金属ビア5を形成する工程と, 金属ビア5を第1のはんだ6を介してセラミック基板7に接合する工程と, 金属ビア5を第1のはんだより融点の低い第2のはんだ8を介して半導体チップ9に接合する工程とを含むように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1) を貫通するビアホール(2) の内壁に絶縁膜(3) を形成する工程と,該絶縁膜(3) 上に金属薄膜(4) を被覆する工程と,該金属薄膜(4) 上に, 該ビアホール(2) 全体に充填するように, 金属ビア(5)を形成する工程と,該金属ビア(5) を第1のはんだ(6) を介してセラミック基板(7) に接合する工程と,該金属ビア(6) を第1のはんだ(6) より融点の低い第2のはんだ(8) を介して半導体チップ(9) に接合する工程とを含むことを特徴とするシリコン基板金属ビア形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/14 C
