半導体装置及び実装体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162520
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354562
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】パッド電極と素子または配線との間の少なくとも1層が0.5μm以下の平均平坦度を有するか配線層と絶縁物との容量比を制御することにより、ボンディングの衝撃による応力集中を防ぎ、分散させ、素子や配線を破壊することなく実装できる半導体装置及び実装体を提供する。【解決手段】端子電極2と素子5との間の電気絶縁層4の上面を0.5μm以下の平均平坦度とする。この平均平坦度を得るには、例えば化学的機械研磨を用いる。これによりボンディングの衝撃による特に凹凸の度合いの激しい箇所への応力集中を緩和することができ、それより下にある素子へのダメージを防ぐことができる。また、配線と電気絶縁物との容量比を制御することにより、ボンディングや実装時の応力集中を防ぎ、素子や配線を破壊することなく実装できる。

請求項（抜粋）：

端子電極と前記端子電極上に形成された突起電極を有する半導体装置であって、前記半導体装置中の素子上に前記端子電極が存在し、前記端子電極と前記半導体装置中の素子との間の少なくとも1層は0.5μm以下の平均平坦度を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 K , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/92 602 Z , H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-038043
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-256538 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299868 出願人：日本電気株式会社

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