特許
J-GLOBAL ID：200903016476834898

固体撮像装置及び画像処理機能を有する携帯電話機

発明者：
山 口 鉄 也

山 口 鉄 也 について

, 
後 藤 浩 成

後 藤 浩 成 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091497
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277279
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 ブルーミングを抑制し、かつ電子シャッタ動作における制御動作を簡易化し動作マージンを向上させる。【解決手段】 信号電荷を発生するフォトダイオードD1、信号電荷を読み出して検出ノードND2に出力する読み出しトランジスタ24、検出ノードND2に出力された信号電荷を増幅して画素信号を出力する増幅トランジスタ27、検出ノードND2に存在する信号電荷を排出用半導体層に排出するリセットトランジスタ25、フォトダイオードのアドレスを選択するアドレストランジスタ26とを有する単位画素22Aがマトリクス状に配置された撮像領域と、出力された画素信号を読み出す信号出力線VSLとを備え、フォトダイオードD1の第1の半導体層と排出用半導体層とが深さ方向に沿って所定の間隔を空けて重なるように形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の表面部分に形成されており、入射光を光電変換して信号電荷を発生して蓄積する逆導電型第1の半導体層を含むフォトダイオードと、前記フォトダイオードから前記信号電荷を読み出して検出ノードに出力する読み出しトランジスタと、前記検出ノードに出力された前記信号電荷を増幅して画素信号を出力する増幅トランジスタと、前記検出ノードに存在する信号電荷を逆導電型第2の半導体層に排出するリセットトランジスタと、前記フォトダイオードのアドレスを選択するアドレストランジスタとを有する単位画素がマトリクス状に配置された撮像領域と、 前記単位画素から前記増幅トランジスタにより出力された前記画素信号を読み出す信号出力線とを備え、 前記半導体基板の表面部分における所定の深さに、前記第1の半導体層が形成され、 前記半導体基板の表面部分に、前記第2の半導体層が形成されており、 前記第1の半導体層の少なくとも一部と前記第2の半導体層の少なくとも一部が、前記半導体基板の深さ方向に沿って所定の間隔を空けて重なるように形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/225 F ,  H04N5/335 E
Fターム (21件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA14 ,  4M118FA19 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024BX01 ,  5C024CX12 ,  5C024CX54 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ02 ,  5C024HX02 ,  5C024HX47 ,  5C122DA09 ,  5C122EA25 ,  5C122FF12 ,  5C122FL05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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