特許

J-GLOBAL ID：200903016483554892

ルミネッセンスシリコン材料及びその形成方法及びルミネッセンス基材の処理方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス

発明者： ヘメント ピーター レイトン フランシス ,  菰田 卓哉
出願人/特許権者： ユニバーシティ オブ サリー
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063756
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017577
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】室温でフォトルミネッセンス特性乃至エレクトロルミネッセンス特性を有するルミネッセンスシリコン材料の製造プロセスを提供することである。【構成】二酸化珪素(SiO2 )基板にシリコンイオンを注入し、続いてイオン注入された基板をあるアニール温度で一定時間アニールし、二酸化珪素基板に分散されたシリコンのナノ結晶を形成する方法において、少なくとも100KeVのエネルギーで、注入イオンのドーズ量が1×1017/cm2 以上、表面侵食ドーズ量以下となるようにイオン注入することによって本願は特徴づけられる。本発明のプロセスにより作成されたルミネッセンス材料は、例えば、ルミネッセンス材料への紫外線照射により可視光のフォトルミネッセンス特性を示し、エレクトロルミネッセンスデバイスに内蔵させることも可能である。二酸化珪素基板内部に分散しているシリコンのナノ結晶は約30Åの平均粒径を有している。

請求項（抜粋）：

二酸化珪素(SiO2 )基材にシリコンイオンを少なくとも100KeVのエネルギーで、注入イオンのドーズ量が1×1017/cm2 以上、表面侵食ドーズ量以下となるようにイオン注入した後、基材を所定のアニール温度で一定時間アニールして、二酸化珪素基材内にフォトルミネッセンス特性乃至エレクトロルミネッセンス特性を有するシリコンのナノ結晶を分散、析出させることを特徴とするルミネッセンスシリコン材料の形成方法。