特許
J-GLOBAL ID：200903016484122392
配向膜とその製造方法および光電素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016346
公開番号（公開出願番号）：特開平10-213803
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】高い配向力を有し、基材との密着性に優れる配向膜と配向膜の製造方法を提供し、該配向膜の上に作成した一軸配向分子薄膜を用いた光電素子を提供する。【解決手段】[1]極性化処理を受けてなる、酸素を含むフッ素樹脂薄膜において、該フッ素樹脂薄膜が一軸配向した配向膜であり、該配向膜表面のX線光電子スペクトルにおける酸素1s/フッ素1sの信号面積比が0.01以上10以下である配向膜。[2]極性化処理が酸素原子を有する分子を含むガス雰囲気において、フッ素樹脂薄膜を気体放電下に暴露するおよび/またはフッ素樹脂薄膜に電磁波照射もしくは粒子線照射することである摩擦した配向膜の製造方法。[3]前記の配向膜の製造方法により作成された配向膜上に、一軸配向分子膜が作成されてなる光電素子。
請求項（抜粋）：
酸素を含むフッ素樹脂を一軸配向させてなる配向膜において、該配向膜表面のX線光電子スペクトルにおける酸素1s/フッ素1sの信号面積比が0.01以上10以下であることを特徴とする配向膜。
IPC (10件)：
G02F 1/1337 520
, C08F 14/26
, C08J 7/00 303
, C08J 7/12 CEW
, G02B 5/30
, G02F 1/1335 510
, B29C 55/02
, C08J 5/18 CEZ
, B29K 27:12
, B29L 7:00
G02F 1/1337 520
, C08F 14/26
, C08J 7/00 303
, C08J 7/12 CEW A
, G02B 5/30
, G02F 1/1335 510
, B29C 55/02
, C08J 5/18 CEZ
