特許

J-GLOBAL ID：200903016491656750

シリコン加工廃水の処理方法

発明者： 山口 久福
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189098
公開番号（公開出願番号）：特開平9-029263
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン加工廃水の処理により発生する多量の凝集物、及び該廃水から凝集物を分離した後の上澄み液中の多量の残存物を低減化することのできるシリコン加工廃水の処理方法を開発する。【解決手段】 シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。

IPC (4件)：

C02F 1/56 ZAB ,  B01D 21/01 108 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

C02F 1/56 ZAB K ,  B01D 21/01 108 ,  H01L 21/304 311 Z ,  H01L 21/78 Z