特許

J-GLOBAL ID：200903016495464325

半導体装置の製造装置及び製造方法及び終点判定装置及び終点判定方法

発明者： 谷内 正治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175357
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021008
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造装置及び製造方法、特にドライエッチング装置及び方法に関して、下地材料に対して高選択比のエッチング方法を提供することと、このエッチングを行う装置及び終点判定方法を提供する。【構成】ドライエッチング装置において反応室とは別にプラズマ生成室を持ち、反応室の上部電極に開孔部が設けられている。又、その装置を用い、反応ガスの吸着・不活性ガスの入射を行い、エッチングする。【効果】高度なエッチング制御ができ、高選択比エッチングが可能となるため下地膜の薄膜化にも対応できる。又、反応ガス導入口を上部電極開孔部にすることでウエハー内均一に反応ガスを吸着させることができる。

請求項（抜粋）：

真空中にガスを導入後、プラズマを生成しエッチングを行うドライエッチング装置において、2枚の平行平板で構成される反応室及びプラズマ生成室を持ち、反応室内の上部電極に設けられた開孔部にプラズマ生成室からのプラズマ導入部が接続していることを特徴とする半導体装置の製造装置。