特許
J-GLOBAL ID：200903016496039555
薄膜EL素子の製造方法および薄膜EL素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168822
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357586
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 エキシマレーザ光の照射によるアニール処理によって、EL発光層を剥離することなく、かつ高い輝度を得る。【解決手段】 薄膜EL素子1は、工程a1で絶縁性を有するガラス基板上に透明導電性材料または金属材料から成る下部電極を形成し、工程a2で真空、200°C〜500°Cの雰囲気で1.5時間〜5時間脱水・脱ガス処理を行い、工程a3で第1絶縁層を形成し、工程a4でEL発光層を形成し、工程a5で第2絶縁層を形成し、工程a6で、隣接する下部電極間の領域および各下部電極の周縁領域への光の照射を遮断するマスクを介して、エキシマレーザ光の照射によるアニール処理を行い、工程a7で上部電極を形成して、作製される。脱水・脱ガス処理で予めガスを放出した後、エキシマレーザ光を照射するので、エキシマレーザ光照射時のガスの放出が低減し、EL発光層の剥離が防止できる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に帯状の下部電極、第1絶縁層、EL発光層、第2絶縁層および下部電極とは直交する方向の帯状の上部電極をこの順番に積層して構成される薄膜EL素子の製造方法において、絶縁性基板上への下部電極形成後であって、第1絶縁層の形成前に、脱水・脱ガス処理工程を含み、EL発光層の形成中または形成後に、エキシマレーザ光の照射によるアニール処理工程を含むことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/10
, H05B 33/14 Z
3K007AB02
, 3K007AB15
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA02
, 3K007DA05
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
