特許

J-GLOBAL ID：200903016497634813

光半導体素子の製造方法

発明者： 西部 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261422
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053609
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光半導体素子の光の出射面、受光面、反射面、素子端面、導波層、活性層、或いは導波路の形状、特性の向上を図り、素子の発振しきい値の上昇を防ぎ、光の取りだし効率、取り入れ効率を向上する。【構成】 レーザビームを照射することによって、光の出射面、受光面、反射面、素子端面、導波層304、活性層303、或いは導波路の内少なくとも一つを加工することを特徴とする光半導体素子の製造方法、或はレーザビームを照射することによってメサ状に活性層303或は導波層304を加工する工程と、前記活性層或は前記導波層を結晶層で埋め込む工程とを外気に晒すこと無く連続的に行うことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

光半導体素子の製造方法において、レーザビームを照射することによって、光の出射面、受光面、反射面、素子端面、導波層、活性層、或いは導波路の内少なくとも一つを加工することを特徴とする光半導体素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-187936
  
• 特開昭62-142385
  
• 特開平3-089518
  
• 特開昭62-007168