特許
J-GLOBAL ID:200903016502806350

高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-326606
公開番号(公開出願番号):特開平8-186376
出願日: 1994年12月28日
公開日(公表日): 1996年07月16日
要約:
【要約】【目的】本発明の目的は、計算機などに使用されるマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を高信頼性でもって安価に製造できるようにした高密度薄膜多層配線基板の製造方法及び高密度薄膜多層配線基板を提供することにある。【構成】本発明は、表面側に厚さが10〜30μmで、Cu若しくはAu若しくはAlを主成分とする配線パターン4を形成し、裏面側に厚さが10〜30μmで、比誘電率が2.2〜4.0で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を8ppm/°C以下の接着層5を形成した厚さが10〜50μmで、比誘電率が2.2〜4.0で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を8ppm/°C以下の有機樹脂フィルム(ポリマフィルム)2を有する有機樹脂フィルム構成体15を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って、高密度薄膜多層配線基板20を製造することを特徴とする。
請求項(抜粋):
表面側に厚さが5μm〜30μmの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが10μm〜30μmで、比誘電率が2.2〜4.0の接着層を形成した厚さが10μm〜50μmで、比誘電率が2.2〜4.0の有機樹脂フィルムを有する有機樹脂フィルム構成体を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方法。
IPC (7件):
H05K 3/46 ,  C09J 5/06 JGV ,  H05K 3/38 ,  C09J 7/02 JHR ,  C09J 7/02 JJR ,  C09J 7/02 JLE ,  C09J 7/02 JLH

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