特許

J-GLOBAL ID：200903016513152883

プラズマ処理方法

発明者： 松本 直樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164573
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理中に任意にエッチング処理とデポジション処理とを選択できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 反応器1内へは試料台3と対向して螺状を呈して端部が閉塞した曲成部12aとを介して、プラズマ生成のためのマイクロ波が導入される。試料台3と対向し、曲成部12aに囲まれた封止板4上には、曲成部12aとは絶縁性のリング24で絶縁された外部電極25が配置され、これには交流電源27が接続されている。交流電源27の発生する電界の強度を調整することで、プラズマ中のイオンの運動エネルギーの分布を変化させ、エッチングあるいはデポジションに用いる反応ガスの母ガスの解離状態または解離したイオンの組成比を制御することができる。従って試料基板Wの表面と、これに入射するイオンとの反応状態を変化させることができる。

請求項（抜粋）：

処理対象たる試料を載置する試料台を格納した反応室へと反応ガスを供給し、前記反応ガスから生成されるプラズマを用いて前記試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理方法であって、前記反応ガスからプラズマを生成するための第1の交流電界を前記反応室へと供給する工程と、第2の交流電界を前記試料台に対向する領域の前記第1の交流電界の同側から前記反応室へと供給する工程を備え、前記第1の交流電界は前記第2の交流電界の周囲から供給されるプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B

Fターム (33件)：

4K057DA02 ,  4K057DA13 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DD10 ,  4K057DG15 ,  4K057DG16 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM21 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F045AA09 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F045GB15 ,  5F045GB19